MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 8 x 8 HV 40 A 650 V, 5 broches
- Code commande RS:
- 219-4226
- Référence fabricant:
- SCTL90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
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Prix pour la pièce
33,74 €
HT
40,49 €
TTC
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 33,74 € |
| 5 - 9 | 32,06 € |
| 10 - 24 | 28,86 € |
| 25 + | 28,68 € |
- Code commande RS:
- 219-4226
- Référence fabricant:
- SCTL90N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SIC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Faibles capacités
Broche de détection de source pour plus de rendement
Faibles capacités
Broche de détection de source pour plus de rendement
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 40 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | PowerFLAT 8 x 8 HV |
| Série | SCTL90N |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 5 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,24 O |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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