MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 CoolMOS P7

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Code commande RS:
219-6003
Référence fabricant:
IPN80R900P7ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

900mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

7W

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

3.7mm

Longueur

6.7mm

Hauteur

1.8mm

Standard automobile

Non

La série Infineon 800 V CoolMOS P7 de transistors MOSFET à superjonction est une solution parfaite pour les applications SMPS à faible consommation en répondant entièrement aux besoins du marché en termes de performances, de facilité d'utilisation et de rapport prix/performances. Il se concentre principalement sur les applications flyback, y compris l'adaptateur et le chargeur, le driver de LED, les SMPS audio, les AUX et l'alimentation industrielle. Cette nouvelle famille de produits offre un gain de rendement jusqu'à 0,6 % et une température de MOSFET inférieure de 2 à 8 °C par rapport à son prédécesseur, ainsi qu'aux pièces concurrentes testées dans les applications flyback typiques. Il permet également des conceptions de densité de puissance plus élevée grâce à des pertes de commutation plus faibles et de meilleurs produits DPAK R DS(on). Dans l'ensemble, il permet aux clients d'économiser des coûts de nomenclature et de réduire les efforts d'assemblage.

Facile à piloter et à concevoir

Meilleur rendement de production en réduisant les défaillances liées aux décharges électrostatiques

Moins de problèmes de production et réduction des retours sur le terrain

Pièces faciles à sélectionner pour un réglage fin des conceptions

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