MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, TO-252 90 A 60 V, 3 broches

Infineon offre une large gamme de transistors MOSFET de puissance certifiés pour l'automobile à canal N 55 V-60 V à l'aide de la nouvelle technologie OptiMOS dans une grande variété de boîtiers et de RDS(on) allant de 1,5 méch à 160 MΩ. La nouvelle famille MOSFET automobile 60 V avec la technologie OptiMOS5 offre plus de puissance et de performances de pointe. L'OptiMOS 5 fournit des pertes de conduction réduites optimisées pour les disques et les applications de conversion de puissance. Les boîtiers sans fil plus petits SSO8 (5 x 6 mm2) et S3O8 (3 x 3 mm2) permettent des économies d'espace de plus de 50 % par rapport à la zone d'un DPAK.

Canal N - Mode d'enrichissement
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Testé à 100 % en avalanche
RDSon ultra-faible
RDS le plus faible au monde à 60 V (marche)
Capacité de courant la plus élevée
Pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique plus élevé
Boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité excellentes
La charge de grille totale optimisée permet de plus petits niveaux de sortie de driver