MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, IPAK (TO-251) 6,8 A 650 V, 3 broches

Infineon Cool MOS CE est adapté pour les applications de commutation dures et souples et en tant que super jonction moderne, il fournit de faibles pertes de conduction et de commutation, améliorant ainsi le rendement et réduisant la consommation électrique. Le modèle 600 V, 650 V et 700 V Cool MOS CE combine le R DS(on) optimal et le boîtier offrant une solution adaptée aux chargeurs à faible consommation pour les téléphones mobiles et les tablettes.

Marges étroites entre les R DS(on) typiques et max.
Réduction de l'énergie stockée dans la capacité de sortie (E oss)
Bonne robustesse de la diode de corps et réduction de la charge de récupération inverse (Q rr)
R g intégré optimisé
Faibles pertes de conduction
Faibles pertes de commutation
Adapté pour la commutation dure et souple
Comportement de commutation facile à contrôler
Efficacité améliorée et réduction de la consommation d'énergie
Moins de conception en effort
Facile à utiliser