MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4713
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4713
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 43.1W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.38mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 43.1W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.38mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La toute dernière plate-forme Cool MOS TM P7 est optimisée pour cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public tels que le chargeur, l'adaptateur, l'éclairage, la télévision, etc.
Validation du produit conformément à Norme JEDEC
Faibles pertes de commutation (Eoss)
Diode de protection ESD intégrée
Excellent comportement thermique
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