MOSFET N Infineon 8.7 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS CE

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75 - 750,277 €20,78 €
150 - 3000,263 €19,73 €
375 - 6750,252 €18,90 €
750 - 18000,245 €18,38 €
1875 +0,239 €17,93 €

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Code commande RS:
214-9111
Référence fabricant:
IPSA70R950CEAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8.7A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

CoolMOS CE

Type de Boitier

TO-251

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

950mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension directe Vf

0.9V

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15.3nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Hauteur

6.1mm

Standard automobile

Non

Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. CoolMOS CE est une plate-forme optimisée pour des performances économiques qui permet de cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public et de l'éclairage en respectant les normes de rendement les plus élevées. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET Super Junction à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation et offrant le meilleur rapport de performances de réduction des coûts disponible sur le marché.

Facile à utiliser/à piloter

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