MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, IPAK (TO-251) 9,4 A 700 V, 3 broches

Q g, E et E plus faibles
Technologie extrêmement performante
Faibles pertes de commutation (E oss)
Très haut rendement
Excellent comportement thermique
Permet une commutation haute vitesse
Diode Zener de protection intégrée
V optimisé (GS) de 3 V avec une tolérance très étroite de ±0,5 V.
Portefeuille finement gradué
Technologie économique
Gain de rendement jusqu'à 2,4 % et température du dispositif inférieure de 12 K Par rapport à la technologie C6
Gain de rendement supplémentaire à une vitesse de commutation plus élevée
Prise en charge d'une taille magnétique moins importante avec des coûts de nomenclature plus faibles
Robustesse ESD élevée jusqu'au niveau HBM classe 2
Facile à piloter et à concevoir
Activateur pour les plus petits facteurs de forme et les conceptions haute densité de puissance
Excellent choix en choisissant le produit le mieux adapté