MOSFET et Diode canal N Infineon 4 A 950 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS P7

Infineon UPI95R2K0P7 conçu pour répondre aux besoins croissants des consommateurs dans l'arène des transistors MOSFET haute tension, la toute dernière technologie 950 V Cool MOS P7 se concentre sur le marché des alimentations à faible consommation. Il offre une tension de blocage 50 V plus élevée que son prédécesseur 900 V Cool MOS C3, la série 950 V Cool MOS P7 offre des performances exceptionnelles en termes d'efficacité, de comportement thermique et de facilité d'utilisation. Comme tous les autres membres de la famille P7, la série 950V Cool MOS P7 est fournie avec une protection ESD à diode Zener intégrée. La diode intégrée améliore considérablement la robustesse ESD, réduisant ainsi la perte de rendement liée aux décharges électrostatiques et atteignant des niveaux de facilité d'utilisation exceptionnels. Le refroidissement MOS P7 est développé avec le meilleur VGS (le) de 3 V et une tolérance étroite de seulement ±0,5 V, ce qui facilite le pilotage et la conception.

Meilleur FOM RDS(on) Eoss; Qg, Ciss et Coss réduits