MOSFET et Diode canal N Infineon 5.7 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS P7

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Code commande RS:
220-7445
Référence fabricant:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et Diode

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

5.7A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-251

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

17.6W

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Tension directe Vf

900mV

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.8nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

6.1mm

Longueur

6.6mm

Normes/homologations

No

Largeur

2.38mm

Standard automobile

Non

Infineon Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. Le tout dernier Cool MOS P7 est une plate-forme optimisée adaptée pour cibler les applications sensibles aux coûts sur le marché grand public telles que le chargeur, l'adaptateur, l'éclairage, la TV, etc. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET à super jonction à commutation rapide, Combiné avec un excellent rapport prix/performances et un niveau de facilité d'utilisation art. La technologie est conforme aux normes de rendement les plus élevées et prend en charge la haute densité de puissance, ce qui permet aux clients de se diriger vers des conceptions très minces.

Pertes extrêmement faibles grâce à la découverte de faibles FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss

un excellent transfert thermique

Diode de protection ESD intégrée

Faibles pertes de commutation (Eoss)

Validation de produit conforme à la norme cc.JEDEC

Technologie économique

Température plus basse

Haute robustesse ES

Permet des fréquences de commutation plus élevées de gain de rendement

EnableshighPowerdensdesignetlespetits facteurs

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