MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, IPAK (TO-251) 5,7 A 700 V, 3 broches

Infineon Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. Le tout dernier Cool MOS P7 est une plate-forme optimisée adaptée pour cibler les applications sensibles aux coûts sur le marché grand public telles que le chargeur, l'adaptateur, l'éclairage, la TV, etc. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET à super jonction à commutation rapide, Combiné avec un excellent rapport prix/performances et un niveau de facilité d'utilisation art. La technologie est conforme aux normes de rendement les plus élevées et prend en charge la haute densité de puissance, ce qui permet aux clients de se diriger vers des conceptions très minces.

Pertes extrêmement faibles grâce à la découverte de faibles FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss
un excellent transfert thermique
Diode de protection ESD intégrée
Faibles pertes de commutation (Eoss)
Validation de produit conforme à la norme cc.JEDEC
Technologie économique
Température plus basse
Haute robustesse ES
Permet des fréquences de commutation plus élevées de gain de rendement
EnableshighPowerdensdesignetlespetits facteurs