MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS P7

Sous-total (1 tube de 75 unités)*

58,50 €

HT

70,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 1 425 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
75 +0,78 €58,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
214-9109
Référence fabricant:
IPS80R900P7AKMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

TO-251

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

900mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

2.35mm

Hauteur

6.22mm

Longueur

6.7mm

Standard automobile

Non

La dernière série Infineon 800 V CoolMOS P7 définit une nouvelle référence en technologies de super jonction 800 V et combine des performances de pointe avec une grande facilité d'utilisation art, résultant de l'innovation technologique de super jonction de 18 ans d'Infineon. Ce sont faciles à piloter et parallèles, ce qui permet des conceptions de densité de puissance plus élevée, des économies de nomenclature et des coûts d'assemblage plus faibles.

Gamme entièrement optimisée

Protection ESD à diode Zener intégrée

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.