MOSFET canal N Infineon 1.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS

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222-4717
Référence fabricant:
IPU80R4K5P7AKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.5A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-251

Série

CoolMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

13W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.41mm

Largeur

6.22mm

Standard automobile

Non

La conception Infineon de la série Cool MOS TM P7 établit une nouvelle référence en technologies de super jonction 800 V et combine des performances de pointe avec une grande facilité d'utilisation art, résultant de l'innovation technologique de super jonction de plus de 18 ans d'Infineon.

Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS

Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche

Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23

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