MOSFET canal N Infineon 12.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS P7 AEC-Q101

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Code commande RS:
217-2580
Référence fabricant:
IPS70R360P7SAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12.5A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Type de Boitier

TO-251

Série

CoolMOS P7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

360mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

16.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

53W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

9.82mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Largeur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La toute dernière CoolMOS TM P7 est une plate-forme optimisée adaptée aux applications sensibles aux coûts cibles sur les marchés grand public tels que le chargeur, l'adaptateur, l'éclairage, la télévision, etc. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET Super Junction à commutation rapide, Combiné avec un excellent rapport prix/performances et un niveau de facilité d'utilisation art. La technologie est conforme aux normes de rendement les plus élevées et prend en charge la haute densité de puissance, ce qui permet aux clients de se diriger vers des conceptions très minces.

Pertes extrêmement faibles en raison de très faibles FOMRDS(on) * Qg et RDS(on) * Eoss

Excellent comportement thermique

Diode de protection ESD intégrée

Faibles pertes de commutation (Eoss)

Validation du produit conformément à Norme JEDEC

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