MOSFET N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 IPS70R

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Code commande RS:
222-4934
Référence fabricant:
IPS70R600P7SAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

8.5A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Type de Boitier

TO-251

Série

IPS70R

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.9V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

43.1W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Hauteur

6.22mm

Standard automobile

Non

Infineon a été développé pour servir les tendances actuelles et particulièrement de demain dans les topologies flyback - la nouvelle série de transistors MOSFET Superjonction CoolMOS TM P7 700 V s'adresse au marché des alimentations SMPS à faible consommation, telles que les chargeurs de téléphone mobile ou les adaptateurs pour ordinateur portable en offrant des gains de performances fondamentaux par rapport aux technologies de superjonction utilisées aujourd'hui. En combinant les commentaires des clients avec plus de 20 ans d'expérience MOSFET de superjonction, 700 V.

Permet une commutation haute vitesse

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