MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 IPS70R

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Code commande RS:
222-4932
Référence fabricant:
IPS70R600P7SAKMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

8.5A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Type de Boitier

TO-251

Série

IPS70R

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

43.1W

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Hauteur

6.22mm

Largeur

2.4mm

Standard automobile

Non

Infineon a été développé pour servir les tendances actuelles et particulièrement de demain dans les topologies flyback - la nouvelle série de transistors MOSFET Superjonction CoolMOS TM P7 700 V s'adresse au marché des alimentations SMPS à faible consommation, telles que les chargeurs de téléphone mobile ou les adaptateurs pour ordinateur portable en offrant des gains de performances fondamentaux par rapport aux technologies de superjonction utilisées aujourd'hui. En combinant les commentaires des clients avec plus de 20 ans d'expérience MOSFET de superjonction, 700 V.

Permet une commutation haute vitesse

Diode Zener de protection intégrée

V (GS) optimisée de 3 V avec une tolérance très étroite de ±0,5 V.

Portefeuille finement gradué

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