MOSFET canal N Infineon 8.5 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4712
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,789 € | 59,18 € |
| 150 - 300 | 0,615 € | 46,13 € |
| 375 - 675 | 0,575 € | 43,13 € |
| 750 - 1800 | 0,536 € | 40,20 € |
| 1875 + | 0,497 € | 37,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4712
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 43.1W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.38mm | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 6.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 43.1W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.38mm | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 6.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La toute dernière plate-forme Cool MOS TM P7 est optimisée pour cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public tels que le chargeur, l'adaptateur, l'éclairage, la télévision, etc.
Validation du produit conformément à Norme JEDEC
Faibles pertes de commutation (Eoss)
Diode de protection ESD intégrée
Excellent comportement thermique
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