MOSFET et Diode canal N Infineon 145 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C7
- Code commande RS:
- 220-7459
- Référence fabricant:
- IPW65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 50 - 98 | 7,15 € | 14,30 € | 101,00 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7459
- Référence fabricant:
- IPW65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 145A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Série | CoolMOS C7 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 64nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 171W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 145A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Série CoolMOS C7 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 64nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 171W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.21mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon Cool MOS C7 de MOSFET à super jonction est un pas en avant révolutionnaire dans la technologie, fournissant le plus faible RDS(on)/boîtier au monde et, grâce à ses faibles pertes de commutation, des améliorations de rendement sur toute la gamme de charge.
Tension 650 V.
Boîtier/DS(on) R de la meilleure classe révolutionnaire
Réduction de l'énergie stockée dans la capacité de sortie (Eoss)
Charge de grille inférieure Qg
Gain de place grâce à l'utilisation de petits boîtiers ou à la réduction de Pièces
Marge de sécurité améliorée et adaptée pour les SMPS et l'énergie solaire Applications d'inverseur
Pertes/boîtier de conduction les plus faibles
Faibles pertes de commutation
Meilleure efficacité de charge légère
Augmentation de la densité de puissance
Excellente qualité Cool MOS
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