MOSFET canal N Infineon 75 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C7

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897-7624
Référence fabricant:
IPW65R019C7FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

700V

Série

CoolMOS C7

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

19mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

446W

Tension directe Vf

900mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

215nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

16.13mm

Largeur

21.1mm

Hauteur

5.21mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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