MOSFET canal N onsemi 139 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 NTB5D0N
- Code commande RS:
- 221-6694
- Référence fabricant:
- NTB5D0N15MC
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 221-6694
- Référence fabricant:
- NTB5D0N15MC
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 139A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NTB5D0N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 75nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 214W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 15.88mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 139A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NTB5D0N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 75nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 214W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 15.88mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor 150 V de transistor MOSFET de puissance a utilisé 139 A de courant de drain utilisé avec un seul canal N. Il a été produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench qui intègre la technologie de grille blindée. Il est doté du QRR le plus faible de l'industrie et d'une diode de corps plus douce pour une commutation à faible bruit supérieure.
RDS(on) max. de 5 m à VGS à 10 V.
Qrr 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Bruit de commutation/IEM plus faible
Testé à 100 % UIL
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