MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 NTH4LN095N
- Code commande RS:
- 221-6712
- Référence fabricant:
- NTH4LN095N65S3H
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 221-6712
- Référence fabricant:
- NTH4LN095N65S3H
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | NTH4LN095N | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 95mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 208W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 15.8mm | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Normes/homologations | Pb-Free, RoHS | |
| Hauteur | 22.74mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série NTH4LN095N | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 95mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 58nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 208W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 15.8mm | ||
Largeur 5.2mm | ||
Normes/homologations Pb-Free, RoHS | ||
Hauteur 22.74mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor SuperFET III MOSFET est doté d'une famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.
Très faible charge de grille
Faible capacité de sortie efficace : 522 pF
Testé à 100 % en avalanche
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