MOSFET canal N DiodesZetex 75 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 DMT
- Code commande RS:
- 222-2882
- Référence fabricant:
- DMT69M5LH3
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,397 € | 29,78 € |
| 150 - 450 | 0,342 € | 25,65 € |
| 525 - 975 | 0,333 € | 24,98 € |
| 1050 + | 0,325 € | 24,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-2882
- Référence fabricant:
- DMT69M5LH3
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | DMT | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Largeur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série DMT | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.6mm | ||
Largeur 2.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à l'état passant
Faible capacité d'entrée
Le boîtier à petit facteur de forme efficace thermiquement permet des produits d'extrémité à plus haute densité
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