MOSFET Infineon canal N, D2PAK-7 320 A 40 V, 7 broches

Le transistor MOSFET Infineon Power utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur d'avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.

Technologie de processus Advanced
Commutation rapide à très faible résistance à l'état passant
Sans plomb, Conforme à la directive RoHS