MOSFET canal N Infineon 60 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-TM5
- Code commande RS:
- 222-4622
- Référence fabricant:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,829 € | 18,29 € |
| 50 - 90 | 1,738 € | 17,38 € |
| 100 - 240 | 1,666 € | 16,66 € |
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- Code commande RS:
- 222-4622
- Référence fabricant:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS-TM5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS-TM5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Largeur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS-TM5, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 60 A - BSC098N10NS5ATMA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute tension conçu pour la commutation de puissance montée en surface dans des plages de température exigeantes. Il prend en charge des courants continus élevés et est destiné aux applications nécessitant une conduction efficace et une commutation rapide dans des températures industrielles extrêmes.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de 100 V offre une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 60 A permet la manipulation de charges lourdes
• Le faible RDS de 9,8 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance de 69 W supporte une charge thermique importante
• La charge de grille typique de 22 nC permet une commutation réactive
• La tolérance de grille de 20 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• Le courant de drain continu de 60 A permet la manipulation de charges lourdes
• Le faible RDS de 9,8 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance de 69 W supporte une charge thermique importante
• La charge de grille typique de 22 nC permet une commutation réactive
• La tolérance de grille de 20 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
Applications
• Convient aux étages de convertisseur c.c.-c.c. haute tension
• Idéal pour les étapes de courant d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Utilisé avec des régulateurs abaisseurs synchrones pour plus d'efficacité
• Peut être utilisé pour la commutation à courant élevé dans les rails d'alimentation des serveurs
• Convient aux modules de gestion des batteries et de distribution d'énergie
• Idéal pour les étapes de courant d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Utilisé avec des régulateurs abaisseurs synchrones pour plus d'efficacité
• Peut être utilisé pour la commutation à courant élevé dans les rails d'alimentation des serveurs
• Convient aux modules de gestion des batteries et de distribution d'énergie
Quel boîtier est utilisé et comment affecte-t-il l'assemblage de la carte?
Il est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches à montage en surface qui simplifie le pick-and-place automatisé et le soudage pour les configurations de cartes compactes.
Dans quelles conditions thermiques extrêmes peut-il fonctionner?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C pour les scénarios de fonctionnement ambiant ou de jonction.
Comment la configuration des canaux influence-t-elle le contrôle?
Le canal d'amélioration de type N nécessite une tension positive grille-source pour la conduite, ce qui permet une conception de commande de grille simple pour les applications de commutation.
Quelle est la tension de grille maximale à appliquer?
La tension grille-source ne doit pas dépasser 20 V afin d'éviter de compromettre l'isolation de la grille et l'intégrité de l'appareil.
Comment la taille du boîtier prend-elle en charge les conceptions denses?
Son encombrement compact de 5,35 x 6,1 x 1,2 mm facilite les configurations à haute densité tout en maintenant les capacités de gestion de la puissance.
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