MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 70 A 40 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 222-4661
- Référence fabricant:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 5000)
0,386 €
HT
0,463 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,386 € | 1 930,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4661
- Référence fabricant:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1
OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1
OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 70 A |
| Tension Drain Source maximum | 40 V |
| Type de boîtier | SuperSO8 5 x 6 |
| Série | OptiMOS™ |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,0042 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2V |
| Matériau du transistor | Silicium |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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