MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 120 A 40 V, 8 broches

Infineon présente sa dernière technologie MOS de puissance OptiMOSTM6 40 V dans le boîtier sans fil SS08 de 5 x 6 mm2 avec le plus haut niveau de qualité et de robustesse pour les applications automobiles. Une gamme de 16 produits (RDSon_max de 0,8 mΩ à 4,4 mΩ s'adresse à l'ensemble de la gamme d'applications, depuis les applications à faible consommation, par exemple, les applications de corps jusqu'aux applications à haute consommation, par exemple, les EPS) qui permet au client de trouver le produit le mieux adapté à ses applications.
Tout cela permet le meilleur produit de sa catégorie FOM (RDSon x Qg) et les performances sur le marché. Le nouveau produit SS08 offre un courant nominal continu de 120 A, ce qui est supérieur de plus de 25 % au DPAK standard à près de la moitié de sa zone d'encombrement.
En outre, la nouvelle génération du boîtier SS08 permet des performances de commutation et un comportement IEM supérieurs grâce à une très faible inductance du boîtier (inductance du boîtier ≈4x inférieure par rapport aux boîtiers traditionnels, par exemple DPAK, D2PAK) grâce à la nouvelle technologie d'intercontacts à clip en cuivre.

•OptiMOSTM - MOSFET de puissance pour les applications automobiles
•Canal N - Mode d'amélioration - Niveau normal
•Certifié AEC Q101
•MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
•Température d'utilisation de 175 °C
•Produit écologique (conforme à la directive RoHS)
•Testé 100 % avalanche