MOSFET canal N Infineon 30 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 222-4664
- Référence fabricant:
- IPD30N06S215ATMA2
- Marque:
- Infineon
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| 250 - 490 | 1,423 € | 14,23 € |
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- Code commande RS:
- 222-4664
- Référence fabricant:
- IPD30N06S215ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 14.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 136W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 14.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 136W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.22mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1
OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
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