MOSFET canal N Infineon 12 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4673
- Référence fabricant:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
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| 100 - 240 | 1,235 € | 12,35 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4673
- Référence fabricant:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 53W | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 53W | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1
OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
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