MOSFET canal N Infineon 3.9 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS CE

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Code commande RS:
214-4396
Référence fabricant:
IPD80R1K4CEATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3.9A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Série

CoolMOS CE

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

23nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

63W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.42mm

Longueur

6.65mm

Hauteur

2.35mm

Standard automobile

Non

Ce transistor MOSFET Infineon 800 V Cool MOS CE est doté d'une haute capacité de tension qui combine sécurité et performances et robustesse pour permettre des conceptions stables à un niveau de rendement plus élevé.

Il est conforme à la directive RoHS

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