MOSFET canal N Infineon 63.3 A 700 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4725
- Référence fabricant:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4725
- Référence fabricant:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 48mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 270nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 48mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 270nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.21mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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