MOSFET canal N Infineon 109 A 600 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4726
- Référence fabricant:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4726
- Référence fabricant:
- IPZ60R017C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 109A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 240nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 109A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 240nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.21mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS TM C7 est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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