MOSFET canal N Infineon 33 A 700 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 171W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 171W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 5.21mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de la série C7 Cool MOS TM combine l'expérience du fournisseur de MOSFET SJ le plus important avec une innovation de haute qualité. La gamme de produits offre tous les avantages des transistors MOSFET à super jonction à commutation rapide offrant un meilleur rendement, une charge de grille réduite, une mise en œuvre facile et une fiabilité exceptionnelle.
Robustesse MOSFET dv/dt améliorée
Meilleur rendement grâce au meilleur rendement de la classe FOM RDS(on) * Eoss et RDS(on) * Qg
Meilleur dans la classe RDS(on)/boîtier
Pâte moulée sans plomb, sans halogène
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