MOSFET canal N Infineon 33 A 700 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 10,20 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
18,55 €
HT
22,26 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 318 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | 9,275 € | 18,55 € | - |
| 10 - 18 | 8,255 € | 16,51 € | 10,20 € |
| 20 - 48 | 7,70 € | 15,40 € | 31,50 € |
| 50 - 98 | 7,225 € | 14,45 € | 102,50 € |
| 100 + | 6,69 € | 13,38 € | 258,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4729
- Référence fabricant:
- IPZ65R065C7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 171W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 171W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Largeur 5.21mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de la série C7 Cool MOS TM combine l'expérience du fournisseur de MOSFET SJ le plus important avec une innovation de haute qualité. La gamme de produits offre tous les avantages des transistors MOSFET à super jonction à commutation rapide offrant un meilleur rendement, une charge de grille réduite, une mise en œuvre facile et une fiabilité exceptionnelle.
Robustesse MOSFET dv/dt améliorée
Meilleur rendement grâce au meilleur rendement de la classe FOM RDS(on) * Eoss et RDS(on) * Qg
Meilleur dans la classe RDS(on)/boîtier
Pâte moulée sans plomb, sans halogène
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 33 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 63.3 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 13 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C7
- MOSFET canal N Infineon 46 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C7
- MOSFET canal N Infineon 46 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C7
- MOSFET canal N Infineon 83 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C6
- MOSFET canal N Infineon 75 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 145 A 700 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C7