MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 7,4 A 1700 V, 7 broches

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Code commande RS:
222-4851
Référence fabricant:
IMBF170R650M1XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

7,4 A

Tension Drain Source maximum

1700 V

Type de boîtier

TO-263-7

Série

IMBF1

Type de montage

CMS

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum

650 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Nombre d'éléments par circuit

1

Infineon CoolSiC TM 1 700 V, transistor MOSFET SiC 650 mΩ dans un boîtier à fuite élevée TO-263-7 est optimisé pour les topologies de retour à la volée à utiliser dans les alimentations auxiliaires connectées à des tensions de liaison c.c. 600 V jusqu'à 1 000 V dans de nombreuses applications de puissance.

Optimisé pour les topologies à vol libre
Très faible perte de commutation
Tension de source de grille de 12 V/0 V compatible avec les contrôleurs de retour
DV/dt entièrement contrôlable pour l'optimisation IEM
Boîtier CMS avec des distances de fuite et de dégagement améliorées > , 7 mm