MOSFET Infineon canal N, TO247-4 19 A 1200 V, 4 broches

Le transistor MOSFET Infineon CoolSiC TM 1 200 V, 140 mΩ SiC dans un boîtier TO247-4 s'artiboîte sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner les performances et la fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium (Si) traditionnels tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre une série d'avantages. Ils incluent les niveaux de charge de grille les plus faibles et de capacité de circuit vus dans les commutateurs de 1 200 V, aucune perte de récupération inverse de la diode interne du corps résistant à la commutation, des pertes de commutation faibles indépendantes de la température et des caractéristiques à l'état passant sans seuil.

Meilleures pertes de conduction et de commutation de classe
Tension de seuil de référence élevée, Vth > 4 V.
Tension de grille de mise hors tension de 0 V pour un entraînement de porte simple et facile
Large plage de tension de source de grille
Diode de corps robuste et à faible perte pour une commutation difficile