MOSFET canal N Infineon 100 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
223-8513
Référence fabricant:
IPB100N06S2L05ATMA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-263

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N série Infineon OptiMOS dans un boîtier D2-PAK. Il offre des avantages de capacité de courant la plus élevée, des pertes de puissance de commutation et de conduction les plus faibles pour un rendement thermique plus élevé et des boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures.

Certifié AEC-Q101 automobile

• Réfusion Peak MSL1 jusqu'à 260 °C.

• Température de fonctionnement de 175 °C.

Boîtier vert

• Rds ultrafaibles

Testé 100 % avalanche

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