MOSFET canal N Vishay 315 A 40 V, 4 broches, PowerPAK (8x8L) N-Channel 40 V AEC-Q101
- Code commande RS:
- 225-9948
- Référence fabricant:
- SQJ138ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 250 - 490 | 1,106 € | 11,06 € |
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- Code commande RS:
- 225-9948
- Référence fabricant:
- SQJ138ELP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 315A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | N-Channel 40 V | |
| Type de Boitier | PowerPAK (8x8L) | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.1Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 78nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.25mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 315A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série N-Channel 40 V | ||
Type de Boitier PowerPAK (8x8L) | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.1Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 78nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.25mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le Vishay Siliconix maintient les données de fiabilité pour la technologie Semiconductor et la fiabilité de boîtier représentent un composite de tous les emplacements qualifiés.
Certifié AEC-Q101
Testé à 100 % Rg et ISU
Boîtier mince de 1,6 mm
Très faible résistance thermique
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