MOSFET canal N Vishay 372 A 40 V, 8 broches, PowerPAK (8x8LR) N-Channel 40 V AEC-Q101
- Code commande RS:
- 225-9965
- Référence fabricant:
- SQJQ148ER-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 225-9965
- Référence fabricant:
- SQJQ148ER-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 372A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | N-Channel 40 V | |
| Type de Boitier | PowerPAK (8x8LR) | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.1mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 394W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 8mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Longueur | 8.3mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 372A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série N-Channel 40 V | ||
Type de Boitier PowerPAK (8x8LR) | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.1mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 394W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 8mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Longueur 8.3mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le Vishay Siliconix maintient les données de fiabilité pour la technologie Semiconductor et la fiabilité de boîtier représentent un composite de tous les emplacements qualifiés.
Certifié AEC-Q101
Testé à 100 % Rg et ISU
Boîtier mince de 1,6 mm
Très faible résistance thermique
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