MOSFET canal N Vishay 375 A 40 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) SQJQ148E AEC-Q101

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210-5060
Référence fabricant:
SQJQ148E-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

375A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

SQJQ148E

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

325W

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

69nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

8mm

Hauteur

1.7mm

Largeur

8.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal N pour l'automobile Vishay 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK 8 x 8 L avec un courant de drain de 375 A.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV

Certifié AEC-Q101

Testé à 100 % Rg et ISU

Boîtier mince de 1,6 mm

Très faible résistance thermique

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