MOSFET canal N Vishay 375 A 40 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) SQJQ148E AEC-Q101

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Code commande RS:
210-5059
Référence fabricant:
SQJQ148E-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

375A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Série

SQJQ148E

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

325W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

69nC

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

8mm

Hauteur

1.7mm

Largeur

8.1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal N pour l'automobile Vishay 40 V (D-S) 175 °C est doté d'un boîtier PowerPAK 8 x 8 L avec un courant de drain de 375 A.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET Gen IV

Certifié AEC-Q101

Testé à 100 % Rg et ISU

Boîtier mince de 1,6 mm

Très faible résistance thermique

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