MOSFET P onsemi 263 A 30 V P, 8 broches, SO-8 NTK
- Code commande RS:
- 229-6464
- Référence fabricant:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
1 681,50 €
HT
2 017,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,121 € | 1 681,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6464
- Référence fabricant:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 263A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | NTK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | P | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 217nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 138.9W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 5.3mm | |
| Longueur | 6.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 263A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série NTK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal P | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 217nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 138.9W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 5.3mm | ||
Longueur 6.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET de puissance à canal N offre une très faible résistance à l'état passant. Il est doté d'un courant de drain de 226 A. Il est utilisé dans le commutateur de charge de puissance et la gestion de batterie.
Amélioration de l'efficacité du système
Gain de place
Excellente conduction thermique
Sans plomb
Sans halogène/sans BFR
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