MOSFET P Vishay 25.7 A 30 V, 8 broches, SO-8
- Code commande RS:
- 256-7360
- Référence fabricant:
- SI4101DY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
865,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,346 € | 865,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 256-7360
- Référence fabricant:
- SI4101DY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4Ω | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4Ω | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET à canal P 30 V (D-S) 25,7 A (Tc) 6 W (Tc) de Vishay Semiconductor est à montage en surface avec un type de boîtier 8-SOIC et ses applications incluent l'interrupteur d'adaptateur, l'interrupteur de charge, la gestion de l'alimentation, les ordinateurs portables et les blocs-batterie portables.
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