MOSFET P Vishay 25.7 A 30 V, 8 broches, SO-8

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Code commande RS:
256-7360
Référence fabricant:
SI4101DY-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

25.7A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4Ω

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.75mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le MOSFET à canal P 30 V (D-S) 25,7 A (Tc) 6 W (Tc) de Vishay Semiconductor est à montage en surface avec un type de boîtier 8-SOIC et ses applications incluent l'interrupteur d'adaptateur, l'interrupteur de charge, la gestion de l'alimentation, les ordinateurs portables et les blocs-batterie portables.

MOSFET de puissance TrenchFET

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