Module d'alimentation en carbure de silicium Isolé canal N onsemi 304 A 1.2 kV, 36 broches, F2 Non
- Code commande RS:
- 229-6510
- Référence fabricant:
- NXH006P120MNF2PTG
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6510
- Référence fabricant:
- NXH006P120MNF2PTG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 304A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | F2 | |
| Type de montage | Châssis | |
| Nombre de broches | 36 | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 847nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 950W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 57mm | |
| Normes/homologations | Halide Free, Pb-Free, RoHS | |
| Longueur | 63.3mm | |
| Hauteur | 17mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 304A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier F2 | ||
Type de montage Châssis | ||
Nombre de broches 36 | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 847nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 950W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 57mm | ||
Normes/homologations Halide Free, Pb-Free, RoHS | ||
Longueur 63.3mm | ||
Hauteur 17mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le module d'alimentation on Semiconductor contenant un demi-pont SiC de 1 200 V et une thermistance dans un boîtier F2. Il est généralement utilisé dans les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge de véhicules électriques et l'alimentation industrielle.
Options avec matériau d'interface thermique préappliqué
Options avec broches soudables et broches à pression
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS
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