Module d'alimentation en carbure de silicium Triphasé canal N STMicroelectronics 75 A 1200 V Enrichissement, 8 broches,
- Code commande RS:
- 249-6720
- Référence fabricant:
- A2U12M12W2-F2
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 249-6720
- Référence fabricant:
- A2U12M12W2-F2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | A2U | |
| Type de Boitier | ACEPACK 2 | |
| Type de montage | Châssis | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 298nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 2.9V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 18V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Triphasé | |
| Normes/homologations | UL | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série A2U | ||
Type de Boitier ACEPACK 2 | ||
Type de montage Châssis | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 298nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 2.9V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 18V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Triphasé | ||
Normes/homologations UL | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le module de puissance de STMicroelectronics représente une branche d'une topologie d'onduleur à 3 niveaux de type T qui intègre la technologie avancée des Power MOSFET en carbure de silicium. Ce module exploite les propriétés innovantes du matériau SiC à large bande interdite et d'un substrat à haute performance thermique. Il en résulte une faible résistance à l'état passant par unité de surface et d'excellentes performances de commutation qui sont pratiquement indépendantes de la température.
Topologie à 3 niveaux
Module d'alimentation ACEPACK 2
13 mΩ de RDS(on) typique pour chaque commutateur
Tension d'isolation certifiée UL de 2,5 kVrms
Capteur de température NTC intégré
DBC à base de Cu-Al2O3-Cu
Broches de contact à ajustement serré
Un capteur NTC complète la conception
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