Module d'alimentation en carbure de silicium canal N STMicroelectronics 12 A 1200 V Enrichissement, 3 broches, Hip-247
- Code commande RS:
- 204-3949
- Référence fabricant:
- SCT10N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
9 597,00 €
HT
11 516,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 9,597 € | 9 597,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-3949
- Référence fabricant:
- SCT10N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT10N120H | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.52Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT10N120H | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.52Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés avancées et novatrices des matériaux à large bande passante. Cela se traduit par une résistance d'activation inégalée par unité de surface et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC, combinées au boîtier du dispositif dans le boîtier HiP247 propriétaire, permettent aux concepteurs d'utiliser un contour standard avec une capacité thermique considérablement améliorée. Ces caractéristiques rendent l'appareil parfaitement adapté aux applications à haut rendement et haute densité de puissance.
Variation très étroite de la résistance sous tension par rapport à la température
Capacité de température de jonction de fonctionnement très élevée (TJ = 200 °C)
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Faible capacitance
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