Module d'alimentation en carbure de silicium canal Type N STMicroelectronics 45 A 650 V Enrichissement, 3 broches,
- Code commande RS:
- 204-3957
- Référence fabricant:
- SCTWA35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 204-3957
- Référence fabricant:
- SCTWA35N65G2V
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCTWA35N65G2V | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.072Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tension directe Vf | 3.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 41.2mm | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCTWA35N65G2V | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.072Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Tension directe Vf 3.3V | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 41.2mm | ||
Longueur 15.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Advanced and innovante de MOSFET SiC de 2e génération de ST. L'appareil est doté d'une résistance à l'état passant remarquablement faible par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation. La variation de la résistance à l'état passant et des pertes de commutation est presque indépendante de la température de jonction.
Capacité faible
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Variation très étroite de la résistance à l'état passant par max.
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