Module d'alimentation en carbure de silicium canal N STMicroelectronics 12 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, Hip-247
- Code commande RS:
- 204-3950
- Référence fabricant:
- SCT10N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 204-3950
- Référence fabricant:
- SCT10N120H
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 12 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 1.2 kV | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT10N120H | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.52 Ω | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 12 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 1.2 kV | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT10N120H | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.52 Ω | ||
Type de montage Traversant | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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