Module d'alimentation en carbure de silicium 2 canal N ROHM 300 A 1200 V Enrichissement, 4 broches BSM
- Code commande RS:
- 144-2260
- Référence fabricant:
- BSM300D12P2E001
- Marque:
- ROHM
Sous-total (1 unité)*
1 004,58 €
HT
1 205,50 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 1 004,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 144-2260
- Référence fabricant:
- BSM300D12P2E001
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | BSM | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1875W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 57.95mm | |
| Hauteur | 17mm | |
| Longueur | 152mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série BSM | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1875W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 57.95mm | ||
Hauteur 17mm | ||
Longueur 152mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
- Pays d'origine :
- JP
Modules d'alimentation SiC, ROHM
Le module se compose d'un dispositif FET de puissance DMOS au carbure de silicium (SiC) avec une diode à barrière de Schottky (SBD) sur le drain et la source.
Configuration demi-pont
Faible courant de surtension
Faibles pertes de commutation de puissance
Commutation haute vitesse
Faible température d'utilisation
Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
Le module d'alimentation SiC BSM180D12P2C101 n'inclut pas de diodes à barrière Schottky.
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