MOSFET Infineon canal N, TO247-4 59 A 650 V, 4 broches

Infineon est doté d'un transistor MOSFET SiC fournissant des performances fiables et économiques dans un boîtier TO247 à 4 broches. Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation. Il est adapté pour les hautes températures et les opérations difficiles, et permet le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système. Le transistor MOSFET dans un boîtier TO247 à 4 broches réduit les effets d'inductance de source parasite sur le circuit de grille, permettant une commutation plus rapide et un rendement accru.

Faibles capacités
Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
Excellent comportement thermique
Capacité d'avalanche accrue
Fonctionne avec un driver standard