MOSFET Infineon canal N, TO247-4 53 A 650 V, 4 broches

Infineon est doté d'un transistor MOSFET SiC fournissant des performances fiables et économiques dans un boîtier TO247 à 4 broches. La technologie MOSFET CoolSiC tire parti des caractéristiques physiques solides du carbure de silicium, ajoutant des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Le transistor MOSFET 650 V est construit sur un semi-conducteur à tranchée de pointe, optimisé pour ne permettre aucun compromis en obtenant à la fois les pertes les plus faibles dans l'application et la plus grande fiabilité de fonctionnement.

Faibles capacités
Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
Excellent comportement thermique
Capacité d'avalanche accrue
Fonctionne avec les drivers standard