MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 66 A 80 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 232-6749
- Référence fabricant:
- ISC0602NLSATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
1,392 €
HT
1,67 €
TTC
En cours d'approvisionnement
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,392 € | 6,96 € |
| 50 - 120 | 1,252 € | 6,26 € |
| 125 - 245 | 1,17 € | 5,85 € |
| 250 - 495 | 1,086 € | 5,43 € |
| 500 + | 1,016 € | 5,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 232-6749
- Référence fabricant:
- ISC0602NLSATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance OptiMOS PD 80 V d'Infineon est conçu pour les applications USB-PD et d'adaptateur. Le boîtier SuperSO8 offre une accélération rapide et des délais de mise en œuvre optimisés. Les transistors MOSFET basse tension OptiMOS pour la distribution de puissance permettent des conceptions avec moins de pièces, ce qui entraîne une réduction des coûts de nomenclature. L'OptiMOS PD offre des produits de qualité dans des boîtiers compacts et légers.
Disponibilité du niveau logique
Excellent comportement thermique
Testé à 100 % en avalanche
Excellent comportement thermique
Testé à 100 % en avalanche
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 66 A |
| Tension Drain Source maximum | 80 V |
| Série | OptiMOS™ 5 |
| Type de boîtier | SuperSO8 5 x 6 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,0073 O, 0,0095 O |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.3V |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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