MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 DSC 140 A 100 V, 8 broches

Le transistor MOSFET Infineon BSC040N10NS5SCATMA1 utilise la toute dernière technologie OptiMOS™ 5 dans un boîtier SuperSO8 avec clip exposé pour un refroidissement double face. Le sommet Rthjc bas se traduit par une meilleure dissipation thermique. Avec un faible RDS(on), cette famille contribue à des conceptions à haut rendement et haute densité de puissance pour des applications telles que les télécommunications, les serveurs et les disques durs.

Ensemble à résistance thermique réduite par rapport au SuperSO8 standard
Faible RDS(on)
Capacité thermique de 175 °C
Adapté pour l'empreinte SuperSO8 standard
Technologie OptiMOS™ 5 la plus récente
Remplacement de substitution pour les conceptions utilisant le boîtier SuperSO8
Faibles pertes de conduction et de commutation