MOSFET Infineon canal N, PQFN 3 x 3 64 A 80 V, 8 broches

Code commande RS:: 232-6768
Référence fabricant:: ISZ0602NLSATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, PQFN 3 x 3 64 A 80 V, 8 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (en bobine de 5000)

0,493 €

0,592 €

Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,493 €	2 465,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 232-6768
Référence fabricant:: ISZ0602NLSATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - ISZ0602NLSATMA1

Législation et Conformité

Détail produit

Le transistor MOSFET de puissance OptiMOS PD 80 V d'Infineon est conçu pour les applications USB-PD et d'adaptateur. C'est le boîtier PQFN 3.3x3.3 qui offre une accélération rapide et des délais de connexion optimisés. Les transistors MOSFET basse tension OptiMOS pour la distribution de puissance permettent des conceptions avec moins de pièces, ce qui entraîne une réduction des coûts de nomenclature. L'OptiMOS PD offre des produits de qualité dans des boîtiers compacts et légers.

Disponibilité du niveau logique
Excellent comportement thermique
Testé à 100 % en avalanche

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	64 A
Tension Drain Source maximum	80 V
Série	OptiMOS™ 5
Type de boîtier	PQFN 3 x 3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	0,0078 O, 0,0099 O
Tension de seuil maximale de la grille	2.3V
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1

MOSFET Infineon canal N, PQFN 3 x 3 64 A 80 V, 8 broches

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